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1N6367TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6367TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN

1N6367TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-13
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压14.1 V
击穿电压标称值14.1 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压17.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-202AA
JESD-30 代码O-MALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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