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1N5603

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 5A, 5000V V(RRM), Silicon, DF, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5603概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 5A, 5000V V(RRM), Silicon, DF, 2 PIN

1N5603规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-XXSS-X2
针数2
制造商包装代码DF
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)10 V
JESD-30 代码O-XXSS-X2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式SPECIAL SHAPE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5000 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
Base Number Matches1
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