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1N4624DLEADFREE

产品描述Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小340KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4624DLEADFREE概述

Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N4624DLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.7 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差1%
工作测试电流0.25 mA
Base Number Matches1

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1N4614D THRU 1N4627D
SILICON ZENER DIODE
LOW NOISE
1.8 VOLT THRU 6.2 VOLT
250mW, 1% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4614D series
silicon Zener diode is designed for low leakage, low
current, and low noise applications. Higher voltage
devices are available in the 1N4099 series.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
250
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.0V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4614D
1N4615D
1N4616D
1N4617D
1N4618D
1N4619D
1N4620D
1N4621D
1N4622D
1N4623D
1N4624D
1N4625D
1N4626D
1N4627D
1.782
1.980
2.178
2.376
2.673
2.970
3.267
3.564
3.861
4.257
4.653
5.049
5.544
6.138
NOM
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
MAX
V
1.818
2.020
2.222
2.424
2.727
3.030
3.333
3.636
3.939
4.343
4.747
5.151
5.656
6.262
TEST
CURRENT
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
1200
1250
1300
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR
μA
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
mA
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ 250μA
μV/ Hz
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
5.0
TYPE
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