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1N3891AE3: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小508KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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1N3891AE3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-203AA
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	250 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	20 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
参考标准	MIL
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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