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PMEG4010ESB

产品描述Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小690KB,共14页
制造商BREL International Components
标准
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PMEG4010ESB概述

Rectifier Diode

PMEG4010ESB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PBCC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID786998
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategorySchottky Diode
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameDSN1006-2(SOD993)
Samacsys Released Date2019-10-18 08:33:21
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.525 W
参考标准IEC-60134
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.0029 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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PMEG4010ESB
27 November 2015
40 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
Product data sheet
1. General description
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an
integrated guard ring for stress protection in a leadless ultra small DSN1006-2 (SOD993)
Surface-Mounted Device (SMD) package.
2. Features and benefits
Average forward current: I
F(AV)
≤ 1 A
Reverse voltage: V
R
≤ 40 V
Low forward voltage, typical: V
F
= 510 mV
Low reverse current, typical: I
R
= 13 µA
Package height typ. 270 µm
3. Applications
Low voltage rectification
High efficiency DC-to-DC conversion
Switch mode power supply
Low power consumption applications
Ultra high-speed switching
LED backlight for mobile application
4. Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
F(AV)
V
R
V
F
I
R
Quick reference data
Parameter
average forward
current
reverse voltage
forward voltage
reverse current
Conditions
δ = 0.5 ; f = 20 kHz; T
sp
≤ 140 °C;
square wave
T
j
= 25 °C
I
F
= 1 A; t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ;
T
j
= 25 °C
V
R
= 20 V; t
p
≤ 3 ms; δ ≤ 0.3 ;
T
j
= 25 °C
V
R
= 40 V; t
p
≤ 3 ms; δ ≤ 0.3 ;
T
j
= 25 °C
-
13
40
µA
-
2.1
6
µA
-
-
-
510
40
610
V
mV
Min
-
Typ
-
Max
1
Unit
A
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