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P4C163-35FMB

产品描述Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28
产品类别存储    存储   
文件大小85KB,共8页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C163-35FMB概述

Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28

P4C163-35FMB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL28,.4
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDFP-F28
JESD-609代码e0
内存密度73728 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DFP
封装等效代码FL28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度2.286 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9.017 mm
Base Number Matches1
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