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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFZT692B
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UFZT692B

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UFZT692B概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UFZT692B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压70 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
* High Gain + Very low saturation voltage
APPLICATIONS
* Darlington replacement
* Relay drivers, DC-DC converters
PARTMARKING DETAIL -
FZT692B
FZT692B
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
SYMBOL MIN.
V
(BR)CBO
70
V
(BR)CEO
70
V
(BR)EBO
5
Cut-Off Currents
Saturation Voltages
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Input Capacitance
Output Capacitance
Switching Times
V
BE(on)
h
FE
f
T
C
ibo
C
obo
t
on
t
off
500
400
150
150
200
12
46
1440
MHz
pF
pF
ns
ns
0.1
0.1
0.15
0.5
0.5
0.9
0.9
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
70
70
5
5
2
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
BreakdownVoltages
TYP. MAX. UNIT TEST CONDITIONS.
V
V
V
µ
A
µ
A
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=55V
V
EB
=4V
I
C
=0.1A, I
B
=0.5mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=2A, I
B
=200mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=100mA,V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=1A,V
CE
=2V*
I
C
=50mA, V
CE
=5V, f=50MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=500mA, I
B1
=50mA
I
B2
=50mA, V
CC
=10V
V
V
V
V
V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 223

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