5962-9315702HXX,5962-9315702HXX pdf中文资料,5962-9315702HXX引脚图,5962-9315702HXX电路-Datasheet-电子工程世界

5962-9315702HXX: 产品描述SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小118KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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5962-9315702HXX概述

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	100 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTS; BATTERY BACK-UP
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
长度	42.4 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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