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OM6525SA

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6525SA概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3

OM6525SA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)300 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)200 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)200 ns
标称接通时间 (ton)50 ns
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