IC 0.62 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, MOSFET Driver
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Linear ( ADI ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | YES |
输入特性 | STANDARD |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码 | e0 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
标称输出峰值电流 | 0.62 A |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP18,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.81 mm |
最大压摆率 | 3 mA |
最大供电电压 | 12.6 V |
最小供电电压 | 11.4 V |
标称供电电压 | 12 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 1200 µs |
接通时间 | 2500 µs |
宽度 | 7.62 mm |
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