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1MBH50D-060S

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小430KB,共5页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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1MBH50D-060S概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN

1MBH50D-060S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3PL
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)500 ns
标称接通时间 (ton)150 ns
Base Number Matches1

 
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