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IS66WVE51216TBLL-55BI

产品描述Pseudo Static RAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48
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文件大小645KB,共33页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS66WVE51216TBLL-55BI概述

Pseudo Static RAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

IS66WVE51216TBLL-55BI规格参数

参数名称属性值
包装说明6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6 mm
Base Number Matches1
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