HY5RS573225AFP-16L,HY5RS573225AFP-16L pdf中文资料,HY5RS573225AFP-16L引脚图,HY5RS573225AFP-16L电路-Datasheet-电子工程世界

HY5RS573225AFP-16L: 产品描述DDR DRAM, 8MX32, 0.28ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共64页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5RS573225AFP-16L概述

DDR DRAM, 8MX32, 0.28ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA136,12X17,32
针数	136
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.28 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	625 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B136
JESD-609代码	e1
长度	14 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	136
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA136,12X17,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.55 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.5 V
标称供电电压 (Vsup)	1.55 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	11 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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