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BSS138DW-7-F

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小208KB,共6页
制造商Diodes Incorporated
标准
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BSS138DW-7-F在线购买

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BSS138DW-7-F概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTC PACKAGE-6

BSS138DW-7-F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID279855
Samacsys Pin Count6
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategorySOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint NameSOT-363
Samacsys Released Date2016-12-03 16:52:19
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.2 A
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻3.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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