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3SK234XX-TL

产品描述35mA, 12V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共1页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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3SK234XX-TL概述

35mA, 12V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

3SK234XX-TL规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)0.035 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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