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US1GR3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小289KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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US1GR3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

US1GR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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creat by ART
US1A - US1M
1.0AMP. High Efficient Surface Mount Rectifiers
SMA/DO-214AC
Features
Glass passivated chip junction
For surface mounted application
Low profile package
Built-in strain relief
Ideal for automated placement
Easy pick and place
Ultrafast recovery time for high efficiency
Low forward voltage, low power loss
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds on terminals
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Classification 94V-0
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 0.064 grams
Ordering Information (example)
Part No.
US1A
Package
SMA
Packing
1.8K / 7" REEL
Packing code
R3
Packing code
(Green)
R3G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@1A
Maximum Reverse Current @ Rated VR
T
A
=25
T
A
=125
Symbol US1A US1B US1D US1G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
US1J
600
420
600
US1K US1M
800
560
800
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
30
1.0
5
150
50
15
75
27
- 55 to + 150
- 55 to + 150
1.7
V
uA
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
75
10
O
nS
pF
C/W
O
O
R
θjA
R
θjL
T
J
T
STG
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:I13
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