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IRGAC50F: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小41KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRGAC50F概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	FAST
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	45 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.7 V

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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