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EDI2KG41864V11D

产品描述SRAM Module, 256KX18, 11ns, CMOS,
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文件大小142KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI2KG41864V11D概述

SRAM Module, 256KX18, 11ns, CMOS,

EDI2KG41864V11D规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间11 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N120
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度18
功能数量1
端子数量120
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM120
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.14 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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