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B5819WSTR

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小322KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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B5819WSTR概述

Rectifier Diode,

B5819WSTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
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