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11EQ10

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共1页
制造商Kyocera(京瓷)
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11EQ10概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 100V V(RRM),

11EQ10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Kyocera(京瓷)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.8 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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1A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
R.M.S. Forward Current
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
100 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
40
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
SBD
Conditions
100
Ta=26℃
*1
Ta=57℃
*2
1.57
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し 
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
11EQ10
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
1.0
1.0
A
A
A
A
■最大定格 Maximum Ratings
−40∼+150
−40∼+150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
■APPROX. NET WEIGHT:0.21g
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-a)
Conditions
T
j
=25℃, V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃, I
FM
=1A
接合部½周囲間
Junction to Ambient
Min.
*1
Typ.
Max.
0.5
0.85
140
110
Unit
mA
V
℃/W
℃/W
単½フイン無し
プリント基板実装
*2
*1:単½フイン無し/ Without Fin or P.C. Board
*2:プリント基板実装 / P.C. Board Mounted(L=8mm, Print Lands=10×10 mm, Both Sides)
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
θ
180°
FIG.3
ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
11EQ10
D.C.
順 電 圧 特 性
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
5
11EQ10
通流角
CONDUCTION ANGLE
平 均 順 電 力 損 失 特 性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
5
1.2
Tj= 150
°C
11EQ10
2
Tj=25°C
Tj=150°C
1
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
1.0
(A)
0.8
RECT 180
°
HALF SINE WAVE
RECT 120
°
½
0.6
RECT 60
°
0.5
(½A)
PEAK REVERSE CURRENT (mA)
2
0.4
0.2
(W)
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.2
0
0
0.4
0.8
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
1.2
1.6
1
0
20
40
60
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
80
100
120
瞬 時 順 電 圧 (V)
平 均 順 電 流 (A)
ピ ー ク 逆 電 圧 (V)
FIG.4
FIG.5
θ
180°
FIG.6
平 均 逆 電 力 損 失
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
11EQ10
通流角
CONDUCTION ANGLE
平 均 順 電 流 − 周 囲 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE
W ith o u t F in o r P .C . B o a rd , V
R M
= 1 0 0 V
11EQ10
θ
180°
平 均 順 電 流 − 周 囲 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE
P . C . B o a rd m o u n t e d (L = 3 m m , P r in t L a n d = 1 0× 0 m m ),V
R M
= 1 0 0 V
1
11EQ10
通流角
CONDUCTION ANGLE
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION (W)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
(W)
RECT 300°
1.2
RECT 180°
HALF SINE WAVE
RECT 120°
0.30
RECT 240°
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
0.40
D.C.
1.6
D.C.
1.6
D.C.
1.2
RECT 180°
HALF SINE WAVE
RECT 120°
0.20
RECT 180°
0.8
RECT 60°
0.8
RECT 60°
(A)
HALF SINE WAVE
0.10
(A)
0.4
0.4
0
0
20
40
60
REVERSE VOLTAGE (V)
80
100
120
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
逆 電 圧 (V)
周 囲 温 度 (℃)
周 囲 温 度 (℃)
FIG.7
サ ー ジ 順 電 流 定 格
SURGE CURRENT RATINGS
f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
11EQ10
100
FIG.8
接 合 容 量 特 性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
T j= 2 5
°
C ,V m = 2 0 m V
R M S
,f = 1 0 0 k H z ,T yp ica l V a lu e
11EQ10
40
SURGE FORWARD CURRENT (A)
½
(A)
JUNCTION CAPACITANCE (pF)
50
30
20
(½F)
20
10
I FSM
0.02s
10
0
0.02
5
0.05
0.1
0.2
TIME (s)
0.5
1
2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
REVERSE VOLTAGE (V)
時 間 (½)
逆 電 圧 (V)
227

 
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