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NSS12501UW3T2G

产品描述Low VCE(sat) Transistor, NPN, 12 V, 7.0 A, 3 Lead WDFN, 2 x 2 x 0.75 mm, 1.3 mm Pitch, 3000-REEL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSS12501UW3T2G概述

Low VCE(sat) Transistor, NPN, 12 V, 7.0 A, 3 Lead WDFN, 2 x 2 x 0.75 mm, 1.3 mm Pitch, 3000-REEL

NSS12501UW3T2G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DFN
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
针数3
制造商包装代码506AU
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码S-PDSO-N3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
最大关闭时间(toff)420 ns
最大开启时间(吨)190 ns
Base Number Matches1
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