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FDB3652-F085

产品描述N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小394KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDB3652-F085概述

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL

FDB3652-F085规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)182 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)61 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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