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2SJ551L

产品描述18A, 60V, 0.11ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共14页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 全文预览

2SJ551L概述

18A, 60V, 0.11ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

2SJ551L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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