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2SJ549(L)

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.23ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共9页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

2SJ549(L)概述

Power Field-Effect Transistor, 0.23ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3

2SJ549(L)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TO-252
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1
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