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10MQ100N

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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10MQ100N概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM),

10MQ100N规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.5 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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10MQ100N
PRV : 100 Volts
I
F(AV)
: 1.5 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
High efficiency
Low power loss
Low forward voltage drop
Pb / RoHS Free
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY RECTIFIER
SMA (DO-214AC)
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.1
±
0.3
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
MECHANICAL DATA :
*
*
*
*
*
*
Case : SMA Molded plastic
Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
Lead : Lead Formed for Surface Mount
Polarity : Color band denotes cathode end
Mounting position : Any
Weight : 0.067 gram
Dimensions in millimeter
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specifie.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Maximum DC Reverse Voltage
Maximum Average Forward Current
, T
L
= 126
°C
SYMBOL
V
RWM
V
R
I
F(AV
)
I
FSM
VALUE
100
100
1.5
30
0.78
0.85
0.1
1.0
80
- 55 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
V
V
A
A
Maximum Peak Forward Surge Current,
One cycle Non-Repetitive , 10ms sine wave
Maximum Forward Voltage at I
F
= 1.0 A , T
J
= 25°C
Maximum Forward Voltage at I
F
= 1.5 A , T
J
= 25°C
Maximum Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage (Note 1)
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note :
(1) Pulse Test : Pulse Width = 300
μs,
Duty Cycle = 2%.
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JA
T
J
T
STG
V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
mA
°C/W
°C
°C
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Rev. 03 : December 9, 2005

 
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