电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

0405SC-1500M

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Carbide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 55ST, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小223KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

0405SC-1500M在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
0405SC-1500M - - 点击查看 点击购买

0405SC-1500M概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Carbide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 55ST, 2 PIN

0405SC-1500M规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明CASE 55ST, 2 PIN
针数2
制造商包装代码CASE 55ST
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接GATE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压250 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度250 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON CARBIDE
Base Number Matches1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 28  1155  1261  1312  1653 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved