RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Carbide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 55ST, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | CASE 55ST, 2 PIN |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 55ST |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | GATE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 250 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 250 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |
Base Number Matches | 1 |
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