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MJD210RLG概述

5.0 A, 25 V PNP Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 1800-REEL

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3
针数	3
制造商包装代码	369C
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Samacsys Confidence	4
Samacsys Status	Released
Samacsys PartID	411915
Samacsys Pin Count	3
Samacsys Part Category	Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category	Other
Samacsys Footprint Name	DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 (369C) ISSUE F_1
Samacsys Released Date	2020-01-17 12:31:25
Is Samacsys	N
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	12.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	65 MHz
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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