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R6009ENX

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.535ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FM, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共14页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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R6009ENX概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.535ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FM, 3 PIN

R6009ENX规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明TO-220FM, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)153 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.535 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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