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KBU8K

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产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小1MB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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KBU8K概述

暂无描述

KBU8K规格参数

参数名称属性值
PackageKBU
Maximum recurrent peak reverse voltage800
Maximum average forward rectified current4
Peak forward surge current150
Maximum instantaneous forward voltage1.1
Maximum reverse current10
TJ(℃)-55~+150

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Silicon Bridge Rectifiers
KBU8A-KBU8M
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to
200
Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
KBU
Dim
A
A1
B
B1
C
C1
E
F
F1
K
4.70
All Dimensions in mm
Min
22.80
3.70
18.90
17.60
6.55
4.50
Ø1.20
25min
4min
5.30
Max
23.20
4.10
19.30
18.00
6.85
4.80
Ø1.40
Maximum Ratings
(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward Output current
@T
A
=25℃
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
I
FSM
200
A
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
KBU8A
50
35
50
KBU8B
100
70
100
KBU8D
200
140
200
KBU8G
400
280
400
KBU8J
600
420
600
KBU8K
800
560
800
KBU8M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
I
F(AV)
8.0
A
I²t Rating for fusing @Tj=25℃
I²t
166
A²S
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
KBU8A
KBU8B
KBU8D
KBU8G
KBU8J
KBU8K
KBU8M
UNITS
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
R
θJ
A
R
θJC
T
J
T
STG
18
3.0
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
℃/W
Electrical Characteristics
(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Maximum instantaneous forward voltage
@4.0A
@8.0A
Maximum reverse current @T
A
=25℃
at rated DC blocking voltage @T
A
=100℃
I
R
5.0
0.5
μ
A
mA
Symbol
V
F
KBU8A
KBU8B
KBU8D
KBU8G
1.0
1.1
KBU8J
KBU8K
KBU8M
UNITS
V
ht
t
p
:
//
Revision:20170701-P1
www.lgesemi
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com
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