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BSP250,115

产品描述BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共13页
制造商Diodes Incorporated
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BSP250,115概述

BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin

BSP250,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SC-73
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
制造商包装代码SOT223
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID714382
Samacsys Pin Count4
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategorySOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint NameBSP250,115
Samacsys Released Date2019-03-15 12:15:50
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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