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CY14B116N-BA25XIT: 产品描述Non-Volatile SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA60, 10 X 18 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小4MB，共37页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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Non-Volatile SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA60, 10 X 18 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	8192013363
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2
Date Of Intro	2016-07-22
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	18 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	60
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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