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IDT70T3519S166DRI

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
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文件大小497KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70T3519S166DRI概述

Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208

IDT70T3519S166DRI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明FQFP, QFP208,1.2SQ,20
针数208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间12 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G208
JESD-609代码e0
长度28 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FQFP
封装等效代码QFP208,1.2SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.1 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.51 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度28 mm
Base Number Matches1
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