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BD676AS

产品描述4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小138KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BD676AS概述

4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG

BD676AS规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码340AS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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