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1N4148T-73

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, SC-40, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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1N4148T-73在线购买

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1N4148T-73概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, SC-40, 2 PIN

1N4148T-73规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e1
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式WIRE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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1N4531 / 1N4148 / 1N4150 / 1N4448
Diodes
Switching diode
1N4531 / 1N4148 / 1N4150 / 1N4448
∗This
product is available only outside of Japan.
Application
High-speed switching
External dimensions
(Units : mm)
1N4531
CATHODE BAND (BLACK)
Type No.
φ
0.5
±
0.1
Features
1) Glass sealed envelope. (MSD, GSD)
2) High speed.
3) High reliability.
C
29
±1
2.7
±
0.3
29
±1
A
φ
1.8
±
0.2
ROHM : MSD
EIAJ :
JEDEC : DO-34
1N4148 / 1N4150 / 1N4448
CATHODE BAND (BLACK)
Type No.
φ
0.5
±
0.1
Construction
Silicon epitaxial planar
C
29
±1
3.8
±
0.2
29
±1
A
φ
1.8
±
0.2
ROHM : GSD
EIAJ :
JEDEC : DO-35
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Type
1N4531
1N4148
1N4150
1N4448
V
RM
(V)
100
100
50
100
V
R
(V)
75
75
50
75
I
FM
(mA)
450
450
600
450
I
O
(mA)
150
150
200
150
I
F
(mA)
200
200
250
200
I
FSM
1µs
(A)
2
2
4
2
P
(mW)
500
500
500
500
Tj
(
°C
)
200
200
200
200
Topr
(
°C
)
−65
~
+200
−65
~
+200
−65
~
+200
−65
~
+200
Tstg
(
°C
)
−65
~
+200
−65
~
+200
−65
~
+200
−65
~
+200
Electrical characteristics
(Ta = 25°C)
V
F
(V)
Type
@
@
@
1mA
BV (V) Min.
@
30mA
I
R
(µA) Max.
@25
°C
V
R
(V)
0.025
5.0
0.025
5.0
0.1
0.025
5.0
20
75
20
75
50
20
75
@
2mA
@
5mA
@
10mA
@
20mA
@
50mA
@
@
@
0.1mA 0.25mA
100mA 200mA 250mA
@
5µA
75
@
100µA
100
t
rr
(ns)
V
R
=6V
@150
°C
V
R
=0
I
F
=10mA
f=1MHz R
L
=100Ω
V
R
(V)
C
r
(pF)
20
4
4
1N4531
1.0
1N4148
0.54
1N4150
0.62
0.62
1N4448
0.72
1.0
0.74
0.86
0.92
1.0
1.0
0.66
0.76
0.82
0.87
50.0
75
100
50.0
20
4
4
50
100.0
50
2.5
4
100
50.0
20
4
4
The upper figure is the minimum V
F
and the lower figure is the maximum V
F
value.

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