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IS61QDPB451236A1-500B3I

产品描述QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165
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文件大小553KB,共38页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61QDPB451236A1-500B3I概述

QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165

IS61QDPB451236A1-500B3I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
包装说明13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)500 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.36 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
Base Number Matches1
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