Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 14 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 28 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | COMPLEX |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X23 |
| 元件数量 | 7 |
| 端子数量 | 23 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 495 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 120 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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