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1N823-1E3

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小240KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N823-1E3概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN

1N823-1E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗15 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
参考标准MIL-19500/159M
标称参考电压6.2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max0.31 mV/°C
最大电压容差5%
工作测试电流7.5 mA
Base Number Matches1
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