Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP8, CERDIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micrel ( Microchip ) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 高边驱动器 | NO |
| 输入特性 | SCHMITT TRIGGER |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 9.652 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | TOTEM-POLE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 25 mA |
| 最大供电电压 | 50 V |
| 最小供电电压 | 11 V |
| 标称供电电压 | 12 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 1.5 µs |
| 接通时间 | 0.8 µs |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MIC5020AJ | |
|---|---|
| 描述 | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP8, CERDIP-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micrel ( Microchip ) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 高边驱动器 | NO |
| 输入特性 | SCHMITT TRIGGER |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 9.652 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | TOTEM-POLE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 25 mA |
| 最大供电电压 | 50 V |
| 最小供电电压 | 11 V |
| 标称供电电压 | 12 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 1.5 µs |
| 接通时间 | 0.8 µs |
| 宽度 | 7.62 mm |
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