Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS, CDIP8, CERDIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micrel ( Microchip ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | NO |
输入特性 | STANDARD |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.652 mm |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | TOTEM-POLE |
标称输出峰值电流 | 1.5 A |
输出极性 | COMPLEMENTARY |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 4.5/18 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大压摆率 | 8 mA |
最大供电电压 | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BICMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 0.06 µs |
接通时间 | 0.06 µs |
宽度 | 7.62 mm |
MIC4428AJB | MIC4426AJB | MIC4427AJB | |
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描述 | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS, CDIP8, CERDIP-8 | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS, CDIP8, CERDIP-8 | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS, CDIP8, CERDIP-8 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Micrel ( Microchip ) | Micrel ( Microchip ) | Micrel ( Microchip ) |
零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | CERDIP-8 |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
高边驱动器 | NO | - | NO |
输入特性 | STANDARD | - | STANDARD |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | - | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | - | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
长度 | 9.652 mm | - | 9.652 mm |
功能数量 | 2 | - | 2 |
端子数量 | 8 | - | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
输出特性 | TOTEM-POLE | - | TOTEM-POLE |
标称输出峰值电流 | 1.5 A | - | 1.5 A |
输出极性 | COMPLEMENTARY | - | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP | - | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | - | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电源 | 4.5/18 V | - | 4.5/18 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | - | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
最大压摆率 | 8 mA | - | 8 mA |
最大供电电压 | 18 V | - | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V | - | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V | - | 5 V |
表面贴装 | NO | - | NO |
技术 | BICMOS | - | BICMOS |
温度等级 | MILITARY | - | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 0.06 µs | - | 0.06 µs |
接通时间 | 0.06 µs | - | 0.04 µs |
宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
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