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10ERB10

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.9A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共1页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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10ERB10概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.9A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

10ERB10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明MINIATURE PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.03 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流45 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.9 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
R.M.S. Forward Current
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
100 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
45
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
FRED
Conditions
100
Ta=50℃
*1
Ta=27℃
*2
1.57
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し 
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
10ERB10
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
1
0.9
A
A
A
A
■最大定格 Maximum Ratings
−40∼+150
−40∼+150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
■APPROX. NET WEIGHT:0.17g
Symbol
I
RM
V
FM
trr
R
th(j-a)
Conditions
T
j
=25℃, V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃, I
FM
=1A
I
FM
=1A, −di/dt=50 A/μs, T
j
=25℃
接合部½周囲間
Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
10
1.03
60
100
140
Unit
μA
V
ns
℃/W
℃/W
プリント基板実装
*1
単½フイン無し
*2
*1:プリント基板実装 / P.C. Board mounted (L=3mm, Print Lands=7×7 mm, Both Sides)
*2:単½フイン無し/ Without Fin or P.C. Board mounted
■定格・特性曲線
FIG.1
順 電 圧 特 性
FORWA RD CURRENT VS. VOLTAGE
10
10ERB10
FIG.2
θ
180°
FIG.3
通流角
CONDUCTION ANGLE
平 均 順 電 力 損 失 特 性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
10ERB10
D.C.
θ
180°
平 均 順 電 流 − 周 囲 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURR ENT VS . AMBIENT TEMPERATURE
P.C. Board mounted (L=3mm,Print Land=7×7mm,Both Sides)
Land=7 7mm,Both
10ERB10
D.C.
通流角
CONDUCTION ANGLE
1.6
AVERAG E FORWARD POWER DISSIPATION (W)
1.2
RECT 180°
(A)
2
Tj=25°C
Tj=150°C
1
1.0
0.8
RECT 60°
(A)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
INSTANTANEOUS FORWARD CU RRENT (A)
5
1.4
1.6
HALF SINE WAVE
RECT 120°
1.2
RECT 180°
HALF SINE WAVE
RECT 120°
0.8
RECT 60°
0.5
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.4
0.2
(W)
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
0
25
50
75
100
125
150
INSTAN TANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
AMBIENT TEMPERAT URE (
°C)
瞬 時 順 電 圧 (V)
平 均 順 電 流 (A)
周 囲 温 度 (℃)
FIG.4
FIG.5
サ ー ジ 順 電 流 定 格
SURGE CU RRENT RA TINGS
f=50Hz,Harf Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
10ERB10
50
10ERB10
θ
180°
平 均 順 電 流 − 周 囲 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURR ENT VS . AMBIENT TEMPERATURE
Without Fin or P.C. Board
通流角
CONDUCTION ANGLE
1.4
D.C.
1.2
1.0
HALF SINE WAVE
RECT 120°
RECT 180°
(A)
½
SURGE FORWARD CURRENT (A)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
40
0.8
RECT 60°
30
(A)
0.6
20
0.4
10
I FSM
0.02s
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
AMBIENT TEMPERAT URE (
°C)
TIME (s)
周 囲 温 度 (℃)
時 間 (½)
22

 
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