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1N5240BTR_NL

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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1N5240BTR_NL概述

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

1N5240BTR_NL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗17 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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1N5221B - 1N5263B Zener Diodes
June 2007
1N5221B - 1N5263B
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
T
STG
T
J
Power Dissipation
Derate above 50°C
Storage Temperature Range
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
500
4.0
-65 to +200
+200
+230
Units
mW
mW°C
°C
°C
°C
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
** Non-recurrent square wave PW = 8.3ms, Ta = 50 degrees C.
Electrical Characteristics
Device
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
V
Z
(V) @ I
Z
(Note 1)
Min.
2.28
2.375
2.565
2.66
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.7
5.89
6.46
7.125
7.79
8.265
8.645
9.5
Typ.
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
T
A
=25°C unless otherwise noted
Max.
2.52
2.625
2.835
2.94
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.3
6.51
7.14
7.875
8.61
9.135
9.555
10.5
Z
Z
(Ω) @ I
Z
(mA)
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Z
ZK
(Ω) @ I
ZK
(mA)
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
(μA) @ V
R
(V)
T
C
(%/°C)
-0.085
-0.085
-0.080
-0.080
-0.075
-0.07
-0.065
-0.06
+/-0.055
+/-0.03
+/-0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
1N5221B - 1N5263B Rev. H1

 
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