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1N5616LEADFREE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小402KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N5616LEADFREE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN

1N5616LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明GPR-1A, 2 PIN
针数2
制造商包装代码GPR-1A
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码E-XALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
GLASS PASSIVATED
SILICON RECTIFIERS
1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5614 series
types are silicon rectifiers mounted in a hermetically
sealed, glass passivated package, designed for general
purpose applications where high reliability is desired.
MARKING: FULL PART NUMBER
GPR-1A CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=55°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
BVR
BVR
BVR
BVR
BVR
VF
CJ
trr
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
200
140
400
280
600
420
1.0
40
-65 to +200
800
560
1000
700
V
V
A
A
°C
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=100°C
IR=50μA (1N5614)
IR=50μA (1N5616)
IR=50μA (1N5618)
IR=50μA (1N5620)
IR=50μA (1N5622)
IF=1.0A
VR=12V, f=130kHz
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
220
440
660
880
1100
MAX
0.5
25
UNITS
μA
μA
V
V
V
V
V
1.2
35
2.0
V
pF
μs
R3 (27-February 2013)
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