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FPD7612P70-100: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, P70, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小407KB，共5页; 制造商Compound Photonics; 标准

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FPD7612P70-100概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, P70, 4 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Compound Photonics
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	8 V
FET 技术	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带	KU BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	19 dB
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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