电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

FMS2024-000SQ

产品描述SPDT, 20000MHz Max, 1 Func, 1.8dB Insertion Loss-Max, GAAS
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小305KB,共5页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

FMS2024-000SQ概述

SPDT, 20000MHz Max, 1 Func, 1.8dB Insertion Loss-Max, GAAS

FMS2024-000SQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Qorvo
包装说明DIE OR CHIP
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
1dB压缩点24 dBm
最大插入损耗1.8 dB
最小隔离度34 dB
功能数量1
最大工作频率20000 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装等效代码DIE OR CHIP
端口终止ABSORPTIVE
射频/微波设备类型SPDT
技术GAAS
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
FMS2024
FMS2024
DC-20GHz MMIC LOW LOSS SPDT
ABSORPTIVE SWITCH
Package Style: Bare Die
NOT FOR NEW DESIGNS
Product Description
The FMS2024 is a low loss, high isolation broadband single-pole double-throw Gal-
lium Arsenide switch, designed on the FL05 0.5m switch process from RFMD. It
offers absorptive properties from the output (50 termination). This process tech-
nology offers leading-edge performance optimized for switch applications.
The FMS2024 is developed for the broadband communications, instrumentation,
and electronic warfare markets.
Features
Low Insertion Loss: 1.4dB at
20GHz
High Isolation: 37dB at
20GHz
All Reflective Design
Excellent Low Control Voltage
Performance
Broadband Communications
Test Instrumentation
Fiber Optics
Electronic Warfare (ECM,
ESM)
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
InP HBT
RF MEMS
LDMOS
RFIN
V2
V1
RF O1
Applications
V11
V22
V3
V4
Parameter
Electrical Specifications
(Small-Signal Unless Noted)
Insertion Loss
NE
W
Min.
Specification
Typ.
DE
SI
GN
V33
V44
RFO2
Max.
Unit
S
Condition
T
AMBIENT
=25°C, V
CTRL
=0V/-5V, Z
IN
=Z
OUT
=50
Isolation
Input Return Loss
Output Return Loss
P1dB
FO
R
-1
-1.25
-1.6
-1.6
-1.8
NO
T
23
22
22
-0.7
-0.85
-1.1
-1.2
-1.35
-37
-14
-15
28
24
24
-34
-11
-11
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
DC
5GHz
10GHz
15GHz
20GHz
DC-20GHz
DC-20GHz
DC-20GHz
2GHz
10GHz
20GHz
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2012, RF Micro Devices, Inc.
DS120621
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or customerservice@rfmd.com.
1 of 5
给RIoTboard添加RTC备用电池
RIoTboard和大多数低成本ARM开发板一样,都有片上RTC,但是板子的设计者并没有提供连接备用电池的方法,这让片上RTC几乎没有什么意义。因为每次你关闭电源,数据和时间都会丢失,再次打开电源后 ......
oliverzhang 综合技术交流
微软笔试面试题集锦
一.最基本题型(说明:此类题型比较简单) QUOTE: 1. 1 到 100 有多少个 9 2. 连续整数之和为 1000 的共有几组 3. U2 合唱团在 17 分钟内得赶到演唱会场,途中必需跨过一座桥,四个人从桥 ......
interview 工作这点儿事
LM3S811的UART口如何引出
我准备使用TI研讨会发的LM3S811套件,我看原理图811的UART口,也就是PA0,PA1和板上另一个芯片的PA0.PA1通过0欧姆电阻相连,如果我要使用811的UART,把PA0,PA1引出到232芯片上进行串口通信时, ......
feiante 微控制器 MCU
dsp aic23 麦克风 录音
有没有大神用过5509接麦克风录音的。为什么我用有源电容式麦克风不能录音,设置了MIC输入,增益20dB,(该麦克风在电脑上录音效果很好) 用手机通过line in线接到mic口却可以录音。话筒接电脑 ......
ykbazhong DSP 与 ARM 处理器
SiC会代替IGBT吗?一起来讨论一下吧。
最近,在Qorvo的Qorvo 收购 UnitedSiC 应对 SiC 竞争中,一位工程师认为,SiC 在不断增长,并将逐渐与 IGBT 竞争,直至完全取而代之。其快速增长确实降低了成本。 目前,在汽车解决方案领域 ......
alan000345 无线连接
LED照明智能控制解决方案
能量效率更高、功能更强的新型LED固态发光(SSL)产品的发展很快,被认为是照明市场上的主要革命性进步。在许多垂直应用中,如信号灯、汽车、LCD TV背光,LED已经毫无争议地成为传统光源的替代 ......
404846547 LED专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1034  500  2132  1145  2784  21  11  43  24  57 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved