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1N831C

产品描述SILICON, S BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共7页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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1N831C概述

SILICON, S BAND, MIXER DIODE

1N831C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带S BAND
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大噪声指数6 dB
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
脉冲输入最大功率0.075 W
脉冲输入功率最小值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POINT CONTACT
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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