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*MFX1000

产品描述暂无描述
产品类别分立半导体    普通晶闸管/整流管混合模块   
文件大小3MB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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*MFX1000概述

暂无描述

*MFX1000规格参数

参数名称属性值
IT(Av)(A)1000
Maximum recurrent peak reverse voltage600-1800
ITSM(KA)20
IGT(mA)200
Gate trigger voltage3
VTM(V)1.95
IT(A)3000
Storage Temperature Range125

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Thyristor/ Diode modules
Features
Electrical insulation between the chip and base.
International standard packaging.
Total pressure structure,good ability of temperature characteristic and
power cycle.
Forced air cooling is for modules of 350A or less than 350A and caneither
air cooling and water cooling for modules of 400A or more than it.
Simple installation,conveninent use and maintenance.
Small volume,light weight.
Type
MFX26
MFX40
MFX55
MFX55
MFX70
MFX70
MFX90
MFX90
MFX110
MFX110
MFX135
MFX135
MFX160
MFX160
MFX182
MFX182
MFX200
MFX200
MFX250
MFX250
MFX300
I
T(AV)
@T
C
A
26
40
55
55
70
70
90
90
110
110
135
135
160
160
182
182
200
200
250
250
300
85
85
85
80
85
80
85
80
85
80
85
80
85
80
85
80
85
80
85
80
85
V
DRM
/V
RRM
V
600~1800
600~1800
600~1800
1900~3000
600~1800
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
1900~3000
600~1600
V
TM
@I
TM
V
1.69
1.60
1.50
1.96
1.48
1.93
1.70
1.92
1.69
1.90
1.75
1.96
1.70
1.90
1.62
1.80
1.65
1.90
1.57
1.73
1.58
A
80
120
170
120
210
210
270
270
330
330
410
410
480
480
550
550
600
600
750
750
900
I
DRN
I
RRM
mA
8
8
8
10
10
12
10
15
12
20
10
22
20
25
25
30
30
35
30
40
40
I
GT
mA
100
100
100
150
100
150
100
150
100
150
100
150
150
150
150
150
180
180
180
180
180
V
GT
A
2.5
2.5
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.0
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
I
H
mA
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
dv/dt
V/μS
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
dv/dt
I
TSM
V
TO
r
T
R
jc
T
jm
v
iso
A/μS A×10
3
A×10
3
℃/W
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
0.55
1.00
1.25
1.15
1.60
1.60
2.00
0.85
0.85
0.85
9.68
5.57
℃ V(A.C)
2500
2500
2500
3600
2500
3600
2500
3600
2500
3600
Outline
0.950 125
0.650 125
3.47 0.530 125
0.640 125
0.410 125
0.450 125
0.280 125
0.280 125
0.250 125
0.250
125
0.90 5.85
0.80
0.90
0.80
2.64
4.64
3.01
3.26
2.29
2.61
2.85
2.26
1.69
1.79
1.26
1.40
1.27
1.43
0.85
0.93
0.72
2.00 0.90
2.40
2.40
2.00
3.80
0.80
0.90
0.80
0.90
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125
3600
2500
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5.40
5.80
5.80
7.20
7.20
8.50
8.50
9.30
0.90
0.80
0.90
0.80
0.90
0.80
0.90
0.80
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0.160 125 3600
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0.140
2500
125 3600
0.120 125 2500
0.120 125 3600
0.100 125 2500
Revision:20190101-P1
ht
t
p
:
//
www.lgesemi
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com
如和分析MOS管灌流电路上这个二级管的作用?
如图,作者说这个二级管能加快三极管VE001的导通,当激励信号为低电平时能够快速使MOS管关断,加快开关速度,谁能说一下这个加速原理,还有一个问题,这个二极管是否可用一个电容替代,我看网顶 ......
_earth 电源技术
eZ430-Chronos开发工具包
85715...
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ucos-ii移植到stc12c5a60s2上怎么只能跑一个任务,跑第二个就不能运行。望高手指点。
代码如下,高手们可以下载看看帮我指点哈。 #include"includes.h" OS_STK TaskTest1; OS_STK TaskTest2; void StartTask(void *ppdata) reentrant; void Task1(void *ppdata) reentrant; ......
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