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TC1N4148M

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34, DO-34, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小425KB,共4页
制造商Tak Cheong
官网地址http://www.takcheong.com/
标准
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TC1N4148M概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34, DO-34, 2 PIN

TC1N4148M规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Tak Cheong
零件包装代码DO-34
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.3 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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®
TAK CHEONG
SE M ICOND UC TOR
300 mW DO-34 Hermetically
Sealed Glass Fast Switching
Diodes
AXIAL LEAD
DO34
Absolute Maximum Ratings
Symbol
P
D
T
STG
T
J
W
IV
I
O
I
FM
I
FSURGE
Power Dissipation
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
300
-65 to +150
+150
75
150
450
2
Units
mW
°C
°C
V
mA
mA
A
DEVICE MARKING DIAGRAM
(TC1N4148M)
Parameter
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
Non-repetitive Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
(Pulse Width = 1.0 µsecond)
L
: Logo
DEVICE MARKING DIAGRAM
(TC1N4448M / TC1N914BM)
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
L
: Logo
Device Code : TC1NxxxxM
Fast Switching Device (T
RR
<4.0 nS)
DO-34 Package (JEDEC DO-204)
Through-Hole Device Type Mounting
Hermetically Sealed Glass
Compression Bonded Construction
All External Surfaces Are Corrosion Resistant And Lads Are Readily Solderable
RoHS Compliant
Solder Hot Dip Tin (Sn) Terminal Finish
Cathode Indicated By Polarity Band
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Breakdown Voltage
Test Condition
I
R
=100µA
I
R
=5µA
I
R
Reverse Leakage Current
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
Forward Voltage
TC1N4448M, TC1N914BM
TC1N4148M,
TC1N4148M
TC1N4448M, TC1N914BM
T
RR
Reverse Recovery Time
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=10mA, V
R
=6V
R
L
=100
I
RR
=1mA
C
Capacitance
V
R
=0V, f=1M
HZ
4
pF
4
nS
0.62
Limits
Min
B
V
100
75
25
5
0.72
1.0
1.0
Volts
Volts
nA
µA
Max
Unit
ELECTRICAL SYMBOL
Cathode
Anode
Electrical Characteristics
Symbol
Number: DB-050
Jan 2010 / F
Page 1
L xxxx
TC1N4148M/TC1N4448M/TC1N914BM
L

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