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V912ED: 产品描述Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 110V, Silicon, Abrupt, DO-7; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小24KB，共1页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

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V912ED概述

Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 110V, Silicon, Abrupt, DO-7

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	ULTRA-LOW LEAKAGE
最小击穿电压	110 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	1%
标称二极管电容	12 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码	DO-7
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
变容二极管分类	ABRUPT
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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