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1N645TR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N645TR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7

1N645TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压225 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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