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M29F200BB45MT3T

产品描述Flash, 128KX16, 45ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
产品类别存储    存储   
文件大小583KB,共29页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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M29F200BB45MT3T概述

Flash, 128KX16, 45ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44

M29F200BB45MT3T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码SOIC
包装说明0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.5 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度12.6 mm

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M29F200BT
M29F200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Single Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ
OPERATIONS
ACCESS TIME: 45, 50, 70, 90ns
PROGRAMMING TIME
– 8µs per Byte/Word typical
7 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 4 Main Blocks
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
Embedded Byte/Word Program algorithm
Embedded Multi-Block/Chip Erase
algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
– Ready/Busy Output Pin
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29F200BT: 00D3h
– Bottom Device CodeM29F200BB: 00D4h
ECOPACK
®
PACKAGES AVAILABLE
Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
44
1
SO44 (MT)
September 2005
1/29
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